Физические основы электроники,Саврук Е.В., 2017

>>Заказать выполнение данной ККР<<

Обратный ток диода Шоттки обусловлен…

	термоэлектронной эмиссией из полупроводника в металл.
	движением неосновных носителей.
	термоэлектронной эмиссией из металла в полупроводник.

Выберите один ответ.

Биполярный транзистор

Question 2

В системе y-параметров y11

– это при коротком замыкании на

Пояснение:

Выберите один ответ в каждом раскрывающемся списке.

Следуйте подсказкам по вводу ответов.

Диоды на основе электронно-дырочных переходов

Question 3

Физической основой какого диода является эффект односторонней проводимости электронно-дырочного перехода?

	Импульсного диода
	Смесительного диода
	Выпрямительного диода
	СВЧ-диода

Выберите один ответ.

Диоды на основе электронно-дырочных переходов

Question 4

Расшифруйте первые две буквы маркировки полупроводникового диода АА.

А –

Пояснение:

Выберите один ответ в каждом раскрывающемся списке.

Следуйте подсказкам по вводу ответов.

Электронно-дырочные переходы

Question 5

Ширина ОПЗ с увеличением обратного смещения, приложенного к ЭДП переходу, …

увеличивается.

не изменяется.

уменьшается.

Пояснение:

Выберите один ответ.

Следуйте подсказкам по вводу ответов.

Физические основы электроники

Question 6

Подвижность носителей с увеличением концентрации легирующей примеси…

	сначала увеличивается, затем уменьшается.
	не изменяется.
	увеличивается.
	уменьшается.

Выберите один ответ.

Полевые транзисторы

Question 7

В транзисторах с изолированным затвором между металлическим затвором и проводящим каналом расположен тонкий слой…

	диэлектрика.
	металла.
	полупроводника с таким же типом проводимости, что и в канале.
	полупроводника с противоположным типом проводимости, чем в канале.

Выберите один ответ.

Биполярный транзистор

Question 8

Усилительные, генераторные и переключательные свойства биполярного транзистора обусловлены явлениями инжекции

и экстракции

носителей зарядов.

Пояснение:

Выберите один ответ в каждом раскрывающемся списке.

Следуйте подсказкам по вводу ответов.

Биполярный транзистор

Question 9

По какому закону обратный ток эмиттера зависит от толщины базы?

IЭБО∼1W2


	IЭБО∼W


	IЭБО∼W2


	IЭБО∼1W

Выберите один ответ.

Биполярный транзистор

Question 10

Какой из нижеперечисленных параметров биполярного транзистора не относится к числу внешних?

	Дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера
	Коэффициент передачи тока базы
	Статический коэффициент передачи тока эмиттера
	Эффективность коллектора

Выберите один ответ.

Физические основы электроники

Question 11

Электропроводность собственного полупроводника определяется соотношением…

σi=q(μn+μp)ni


	σi=qμnni


	σi=qμpni


	σi=q(μn−μp)ni

Выберите один ответ.

Электронно-дырочные переходы

Question 12

Что является причиной перехода носителей в соседние области при образовании p-n-перехода при контакте p- и n-областей?

	Дрейф носителей между p- и n-областями
	Градиент концентрации между p- и n-областями
	Термоэлектронная эмиссия
	Силы электрического притяжения, возникающие между электроном и дыркой

Выберите один ответ.

Физические основы электроники

Question 13

Уровень Ферми в дырочном полупроводнике смещается к…

	потолку валентной зоны.
	середине ширины запрещенной зоны.
	дну зоны проводимости.

Выберите один ответ.

Электронно-дырочные переходы

Question 14

Какая из составляющих обратного тока ЭДП перехода не зависит от приложенного напряжения?

	Ток тепловой генерации
	Поверхностный ток
	Ток насыщения

Выберите один ответ.

Физические основы электроники

Question 15

Носители в невырожденных полупроводниках подчиняются статистике…

	Ферми–Дирака.
	Бозе–Эйнштейна.
	Максвелла–Больцмана.
	Больцмана.

Выберите один ответ.

Контакты металл–полупроводник. Выпрямляющие и омические переходы на контакте металла с полупроводником

Question 16

При подаче напряжения на контакт металл–полупроводник |U|≪kTq

плотность тока приблизительно равна…

−jS


	jS


	jSqUkT


	jSexp(qUkT)

Выберите один ответ.

Полевые транзисторы

Question 17

На данном рисунке приведено условно-графическое обозначение полевого транзистора…

	с изолированным затвором со встроенным каналом p-типа.
	с управляющим переходом с каналом p-типа.
	с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа.
	с изолированным затвором с индуцированным каналом p-типа.
	с управляющим переходом с каналом n-типа.
	с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа.

Выберите один ответ.

Контакты металл–полупроводник. Выпрямляющие и омические переходы на контакте металла с полупроводником

Question 18

Выражение, определяющее значение поверхностного потенциала:

φ0S=φП−χ


	φ0S=φМ−χ


	φ0S=φП−φМ


	φ0S=φМ−φП

Выберите один ответ.

Контакты металл–полупроводник. Выпрямляющие и омические переходы на контакте металла с полупроводником

Question 19

Выражение для изменения барьера Шоттки имеет вид:

Δφб=βШ⋅(φ0S±U)−14


	Δφб=βШ⋅(φ0S±U)−12


	Δφб=βШ⋅(φ0S±U)14


	Δφб=βШ⋅(φ0S±U)12

Выберите один ответ.

Диоды на основе электронно-дырочных переходов

Question 20

На данном рисунке приведено условно-графическое обозначение…

	фоторезистора.
	туннельного диода.
	стабилитрона.
	фотодиода.

Выберите один ответ.

Полевые транзисторы

Question 21

На данном рисунке приведено условно-графическое обозначение полевого транзистора…

	с изолированным затвором с индуцированным каналом p-типа.
	с управляющим переходом с каналом p-типа.
	с изолированным затвором со встроенным каналом p-типа.
	с управляющим переходом с каналом n-типа.
	с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа.
	с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа.

Выберите один ответ.

Физические основы электроники

Question 22

Донорной примесью для кремния является…

Пояснение:

Выберите один ответ.

Следуйте подсказкам по вводу ответов.

Диоды на основе электронно-дырочных переходов

Question 23

Чувствительность по току детекторного диода зависит от

тока смещения.

Пояснение:

Выберите один ответ в раскрывающемся списке.

Следуйте подсказкам по вводу ответов.

Полевые транзисторы

Question 24

Дифференциальный параметр, характеризующий сравнительное воздействие напряжений стока и затвора на ток стока, называется…

	внутренним сопротивлением транзистора.
	крутизной.
	выходной проводимостью.
	коэффициентом усиления.

Выберите один ответ.

Биполярный транзистор

Question 25

Основное назначение коллекторного перехода –

носителей из базы.

Пояснение:

Выберите один ответ в раскрывающемся списке.

Следуйте подсказкам по вводу ответов.

Электронно-дырочные переходы

Question 26

Обратный ток какого ЭДП перехода будет больше?

	Выполненного из арсенида галлия
	Выполненного из германия
	Выполненного из кремния

Выберите один ответ.

Контакты металл–полупроводник. Выпрямляющие и омические переходы на контакте металла с полупроводником

Question 27

Диод Шоттки – это полупроводниковый прибор на основе контакта металл–полупроводник, принцип действия которого основан на явлении

эмиссии.

Пояснение:

Выберите один ответ в раскрывающемся списке.

Следуйте подсказкам по вводу ответов.

Диоды на основе электронно-дырочных переходов

Question 28

Обозначение какого полупроводникового диода изображено на рисунке?

	Одностороннего стабилитрона
	Обращенного диода
	Туннельного диода
	Двухстороннего стабилитрона

Выберите один ответ.

Физические основы электроники

Question 29

Типичные значения длин диффузионного смещения составляют … см.

10^–3–10^–1

10^–5–10^–3

10^–7–10^–5

10^–9–10^–7

Пояснение:

Выберите один ответ.

Следуйте подсказкам по вводу ответов.

Электронно-дырочные переходы

Question 30

Емкость, отражающая изменения заряда инжектированных носителей в базе при изменении напряжения на переходе, называется

емкостью.

Пояснение:

Выберите один ответ в раскрывающемся списке.

>>Заказать выполнение данной ККР<<

Категория: ФДО ТУСУР ККР | Добавил: Master (16.11.2023)

Просмотров: 362 | Рейтинг: 5.0/10